記憶體超級牛市！台灣隊庫存見底　這「4」檔準備大賺！

財經中心／師瑞德報導

針對記憶體產業未來展望，有法人機構發布最新研究指出，受惠於 AI 運算需求的強勁推動，記憶體市場正迎來一波長達4至6季的上升循環。DRAM 與 NAND 產品報價的缺口將持續擴大，預期此波景氣上升週期將延續至 2026 年下半年（2H26）。

AI 運算需求爆發　記憶體步入結構性牛市

法人表示，本波記憶體報價上漲的關鍵驅動力，來自於AI Inference（推論）對AI Server記憶體需求的顯著提升。過去 AI 模型著重在訓練（Training）階段，但隨著 AI 應用（如 ChatGPT、Google Gemini 等）持續滲透至企業與生活層面，對應 AI Inference 階段的運算需求，將需要更大量的記憶體資源投入。

傳統伺服器、PC 或手機所需記憶體，其價格通常較為敏感；但 AI Server 對於 DRAM/NAND 價格波動的敏感度相對較低，更強調高效能與大容量。這使得記憶體價格週期性波動的影響被 AI 需求抵消，推動記憶體產業步入結構性牛市。例如，現在普遍的 AI 應用，其所需的 DRAM 需求已接近總 DRAM 需求的 34%。

HBM 成為新戰場　eSSD 出貨量將爆發

在高頻寬記憶體（HBM）方面，法人預估 HBM 整體市場價值在 2026 年將持續成長。其中，HBM4 元件位元需求將佔據整體市場的 22%。在供應鏈方面，SK Hynix的 HBM4 產品已成功通過 NVIDIA 認證，市場份額預期將維持在 60-70% 的領先地位。

此外，由於 AI 應用大幅增加記憶體層級，使記憶體架構更加多元，未來所需的eSSD（企業級固態硬碟）出貨量成長將顯著爆發。法人預估，未來五年 eSSD 出貨量成長複合年均增長率（CAGR）將高達 30%。同時，SLC/TLC eSSD 報價也將受到強勁需求支撐而持續上修。

台灣供應鏈庫存去化成果顯著　個股獲利看增

法人指出，受惠於 AI 需求的帶動，以及中心供應商（三星、SK Hynix）積極將產能轉向 HBM 和 DDR5 導致標準型產品供給受限，台灣記憶體供應鏈庫存天數已降至健康水位，獲利有望持續改善。

個股獲利與展望：在記憶體模組與控制晶片方面，群聯電子（8299 TT, 買進）表現亮眼。法人預估，群聯 3Q25 庫存天數可望季減 20 天至 176 天，顯示庫存調整已達相對低點。群聯將持續受惠於 eSSD 需求強勁及 SLC/TLC eSSD 報價上升，維持獲利高檔。

在 DRAM 製造方面，南亞科（2408 TT, 買進） 作為純 DRAM 製造商，將是這波報價上升循環的主要受惠者。法人預估其 3Q25 庫存天數可望季減 10 天至 201 天，庫存去化成果顯著。

在 NOR Flash 與利基型 DRAM 領域，華邦電（2344 TT, 未評等）的庫存去化速度優於平均。法人預估其 3Q25 庫存天數可望大幅季減 57 天至 184 天。同樣，旺宏（2337 TT, 未評等）的庫存調整進度也十分理想，預估其 3Q25 庫存天數可望季減 57 天至 143 天。

在封測領域，力成（6239 TT, 買進）將受惠於高階封測需求。法人預估其 3Q25 庫存天數季減 10 天至 180 天。作為 HBM 封測供應鏈之一，力成將受益於 HBM 模組化與高階封測需求的成長。

舊製程維持高價　新製程產能推進

法人預期，DDR4 EOL（End-of-Life）雖然進度緩慢，但受限於大廠產能被 HBM 與 DDR5 擠壓，DDR4 價格將維持高檔，並延續至 2026 年底。

此外，各大廠正積極推進新製程與 HBM 產能，例如Samsung預計 2028 年推出 1a nm 及 1b nm 製程；SK Hynix則計畫在 2026 年完成 HBM3E/HBM4 相關製程。這些新製程的推進，將進一步壓縮標準型 DRAM 供給，持續推動整體報價上漲。

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